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XPS作為一種表面靈敏的分析技術(shù)，可以探測樣品表面10nm以內(nèi)的信息，而在材料分析中深度分析是獲取不同深度下組分和化學(xué)態(tài)信息的重要方法。在XPS深度分析中，有3個(gè)采樣深度值得關(guān)注：（1）0-10nm，這是基于常規(guī)AlKαX射線XPS的探測深度，對于超薄膜層結(jié)構(gòu)的深度分析可以通過變角度XPS實(shí)現(xiàn)；（2）0-30nm，這是基于硬X射線XPS(HAXPES)的探測深度，可以通過切換X射線能量進(jìn)行無損深度分析；（3）0-1000nm，需要采用離子束剝離的破壞性深度剖析。氬離子刻蝕是常...

X射線衍射（XRD）是表征有序材料結(jié)構(gòu)的重要工具。高角度的相干散射可以反映原子的排列。在非常低的角度也可以觀察到相干信號，這些信號可以用來表征分子篩材料（比如ZSM-41或SBA-15）中圓柱形孔的周期性排列。案例分析低角度數(shù)據(jù)采集需要嚴(yán)格控制空氣散射和照在樣品上的光斑面積。通過適當(dāng)?shù)剡x擇一個(gè)固定尺寸的主光路發(fā)散狹縫和一個(gè)固定的防空氣散射屏，可控制上述的兩個(gè)條件。在D6PHASER上使用動(dòng)態(tài)光束優(yōu)化(DBO)系統(tǒng)，從而使光路和光斑的控制更加的方便和優(yōu)化可調(diào)。DBO包含可變發(fā)散...

固體的電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)性質(zhì)深受其占據(jù)態(tài)（occupiedstate）和非占據(jù)態(tài)（unoccupiedstate）電子結(jié)構(gòu)的共同影響。在半導(dǎo)體材料中，費(fèi)米能級兩側(cè)的電子結(jié)構(gòu)對雜質(zhì)摻雜、能帶調(diào)控以及器件的研發(fā)與應(yīng)用至關(guān)重要，尤其是非占據(jù)態(tài)能級結(jié)構(gòu)，它直接決定了電荷的轉(zhuǎn)移和輸運(yùn)性能。雖然占據(jù)態(tài)的電子信息可通過光電子能譜，如XPS和UPS來解析，但由于非占據(jù)態(tài)沒有電子填充，傳統(tǒng)的光電效應(yīng)方法無法有效獲取其能帶信息。為了深入探索非占據(jù)態(tài)的信息，我們需要借助反光電子能譜（InverseP...

面是指固體表面一個(gè)或數(shù)個(gè)原子層的區(qū)域，是與外界進(jìn)行物質(zhì)交換和能量交換的通道，其性質(zhì)（如化學(xué)組成、原子排列、電子狀態(tài)等）與體相具有諸多不同，但是材料的表面行為往往決定了材料/器件的功用和性能。因此，表面分析對于新材料、新技術(shù)的研發(fā)至關(guān)重要。常用的表面分析技術(shù)主要有XPS、AES和TOF-SIMS等，其中，AES技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對納米尺度特征的表面進(jìn)行化學(xué)分析。俄歇電子能譜儀（AugerElectronSpectroscopy，AES）采用場發(fā)射電子源入射樣品的表面，激發(fā)出二次電子（...

在使用二次離子質(zhì)譜（SIMS）技術(shù)對樣品進(jìn)行定量分析時(shí)，常遇到一系列棘手的問題：即便在濃度相同、測試條件一致的情況下，同一組分在不同的化學(xué)環(huán)境中二次離子產(chǎn)額可能跨越幾個(gè)數(shù)量級；此外，即便同一組樣品，使用相同設(shè)備和實(shí)驗(yàn)條件、在不同時(shí)間段內(nèi)測到的二次離子信號強(qiáng)度也可能會有所差異。在SIMS分析中，常將實(shí)驗(yàn)條件和樣品化學(xué)性質(zhì)差異等因素導(dǎo)致二次離子產(chǎn)額發(fā)生變化的現(xiàn)象統(tǒng)稱為基體效應(yīng)（matrixeffect）。在這期文章，我們將介紹SIMS分析中的基體效應(yīng)，并分析基體效應(yīng)對SIMS測試...

Ti-6Al-4V是一種典型的α+β型兩相鈦合金，在航空、醫(yī)療器械、艦船等方面應(yīng)用普遍。鑒于鈦對氧的親和性好，電子束熔煉（EBM）是鈦合金增材制造推薦工藝。然而，在EBM工藝中，只有部分粉末會熔化和凝固，為節(jié)省成本，合理利用資源，對于用過的且符合特定化學(xué)成分的Ti-6Al-4V粉末需要進(jìn)行篩分、回收和重復(fù)利用。為進(jìn)一步研究Ti-6Al-4V粉末在重復(fù)使用過程中表面局部位置形貌和化學(xué)變化，本案例對多次回收的粉末做了詳盡的AES（PHI700）和XPS（PHI5000VersaP...

帶隙（BandGap），亦被稱為禁帶寬度，是半導(dǎo)體材料的重要參數(shù)之一。它不僅揭示了價(jià)電子被束縛的緊密程度，還是衡量半導(dǎo)體光學(xué)性能*與否的重要指標(biāo)。此外，帶隙決定了激發(fā)該半導(dǎo)體所必須的較小能量閾值。在光電轉(zhuǎn)換器件，如太陽能電池和發(fā)光二極管等領(lǐng)域，帶隙的測量對深入理解半導(dǎo)體的電學(xué)和光學(xué)特性，以及探索其實(shí)際應(yīng)用價(jià)值，具有不可替代的物理和現(xiàn)實(shí)意義。過去，科研人員主要通過循環(huán)伏安法或結(jié)合UPS與光學(xué)吸收法來測量帶隙和能級排列。然而，隨著反光電子能譜技術(shù)（InversePhotoemis...

鋰離子電池具有自放電小、開路電壓高、能量密度大、循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn)，自問世以來就備受關(guān)注。但是，鋰離子電池采用含有機(jī)溶劑的液體電解質(zhì)，存在不容忽視的安全隱患。對此，全固態(tài)電池（ABBS）應(yīng)運(yùn)而生，因其電解質(zhì)在內(nèi)的所有組件都是固態(tài)的，在安全性和熱穩(wěn)定性上有著明顯優(yōu)勢，已然成為新能源、儲能技術(shù)、材料科學(xué)等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而，電極與固體電解質(zhì)之間的界面存在著來源尚不明確的電阻，成為影響ABBS實(shí)際應(yīng)用的較大障礙之一。因此，利用有效的表面分析技術(shù)研究SE/陰極界面的相互作用，對提高全...